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January 2001
Si4542DY
30V Complementary PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This complementary MOSFET device is produced using
?
Q1 : N-Channel
Fairchild’s advanced PowerTrench process that has
been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain low gate charge for
superior switching performance.
6 A, 30 V
R DS(on) = 28 m ? @ V GS = 10V
R DS(on) = 35 m ? @ V GS = 4.5V
Applications
? DC/DC converter
? Power management
?
Q2 : P-Channel
–6 A, –30 V
R DS(on) = 32 m ? @ V GS = –10V
R DS(on) = 45 m ? @ V GS = –4.5V
D D1
D D2
D D2
D D1
5
6
Q2
Q1
4
3
SO-8
Pin 1 SO-8
G2
S2 G
G1 S
S1 S
S
7
8
2
1
Absolute Maximum Ratings
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Q1
30
± 20
Q2
–30
± 20
Units
V
V
I D
Drain Current
- Continuous
(Note 1a)
6
–6
A
- Pulsed
20
–20
P D
Power Dissipation for Dual Operation
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1c)
2
1.6
1.2
1
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +175
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
78
40
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
4542
Device
Si4542DY
Reel Size
13”
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
? 2001 Fairchild Semiconductor International
Si4542DY Rev A
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